電子、電器、家電產(chǎn)品生產(chǎn)制造時(shí)，需要用到很多不同類型的電子元件，如新潔能MOS管、電阻、DC-DC電源芯片等，每種電子元件都有它不同的功能作用，當(dāng)然，這些電子元件用久了，也避免不了會(huì)有一些問題，今天來聊聊其中一種電子元件，接下來看看新潔能MOS管為什么會(huì)發(fā)熱，有哪些什么原因。

　　1、減少使用頻率

　　這也是用戶在調(diào)試過程中常見的現(xiàn)象。頻率下降主要是由兩個(gè)方面造成的。輸入電壓與負(fù)載電壓之比小，系統(tǒng)干擾大。對于前一種情況，負(fù)載電壓越高，效率越高，但要注意負(fù)載電壓不要設(shè)置得太高。如果是后者，您可以嘗試以下方法：a、將小電流設(shè)置得較小。b、更清晰地布置關(guān)鍵路徑，尤其是對于意義而言。c、選擇較小的電感器或使用具有閉合磁路的電感器。d、添加 RC 低通濾波器，這個(gè)效果有點(diǎn)不好，C、的一致性不好，偏差有點(diǎn)大，但是對于打光來說已經(jīng)足夠好了。無論如何，降低頻率沒有好處，只有壞處，所以這個(gè)問題需要解決。

　　2、芯片發(fā)熱

　　內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片，如果芯片消耗的電流為2mA，給芯片施加300V的電壓，則芯片的功耗為0.6W，芯片自然會(huì)發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的大電流由驅(qū)動(dòng)功率MOS管的功耗決定。簡單的計(jì)算公式是I=cvf?？紤]到充電帶來的電阻的好處，實(shí)際I=2cvf。其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管的電導(dǎo)率。由于柵極電壓開啟，我們需要想辦法降低c、v、f來降低芯片的功耗。如果c、v、f無法改變，就想辦法將芯片的功耗分配給片外設(shè)備，注意不要產(chǎn)生額外的功耗。簡單來說，就是考慮改善散熱。

　　3、電感或變壓器的選擇

　　同樣的驅(qū)動(dòng)電路，用A制作的電感還好，但用B制作的電感電流較小。在這種情況下，請查看電感電流波形。有些工程師沒有意識到這種現(xiàn)象，直接調(diào)整檢測電阻或工作頻率來達(dá)到所需的電流，這會(huì)嚴(yán)重影響 LED 的使用壽命。因此，設(shè)計(jì)前需要進(jìn)行合理的計(jì)算。如果理論計(jì)算參數(shù)與調(diào)試參數(shù)相差較大，應(yīng)考慮是否降低頻率以及變壓器是否飽和。當(dāng)變壓器飽和時(shí)，L變小，由于傳輸延遲導(dǎo)致的峰值電流增加迅速增加，LED峰值電流相應(yīng)增加。假設(shè)平均電流保持不變，可以簡單地觀察光衰。

　　4、功率管發(fā)熱

　　功率管的功耗可分為兩部分：開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。請注意，在大多數(shù)情況下，尤其是在 LED 電源供電應(yīng)用中，開關(guān)損壞遠(yuǎn)大于傳導(dǎo)損耗。開關(guān)損耗不僅與芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，還與功率管的CGD和CGS有關(guān)。因此，功率管發(fā)熱可以從以下幾個(gè)角度來解決。A、MOS功率管內(nèi)阻越小，CGS和CGD電容越大，因此不能僅根據(jù)單側(cè)導(dǎo)通電阻來選擇MOS功率管，這就是您選擇功率管時(shí)所需要的。B.剩下的是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力。我們在這里只討論頻率效應(yīng)。頻率也與傳導(dǎo)損耗成正比，所以如果你的功率管發(fā)熱，你首先應(yīng)該考慮你的頻率選擇是否太高。想辦法降低頻率！ 然而，隨著頻率的降低，峰值電流會(huì)增加，或者為了獲得相同的負(fù)載能力而需要加大電感器，因此需要注意電感器可能會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)。如果電感的飽和電流足夠高，可以考慮從CCM（連續(xù)電流模式）改為DCM（斷續(xù)電流模式），這需要增加負(fù)載電容。

　　綜上所述，可以了解到新潔能MOS管發(fā)熱的原因有4個(gè)，有芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、減少使用頻率、電感方面的原因 。