SJ-MOSFET擁有較小的結(jié)電容,低導通內(nèi)阻,所以可以適應更高速的開關電源,提高電 源效率,降低系統(tǒng)成本,實現(xiàn)電源小型化。
SJ-MOSFET產(chǎn)品的高溫漏電(IDSS)特性,主要與產(chǎn)品工藝類型有關,受產(chǎn)品規(guī)格、芯 片大小、工藝代數(shù)的影響相對較小。
超致半導體的SJ-MOSFET產(chǎn)品,與國際主流多層外延工藝產(chǎn)品的高溫漏電特性基本一致, 而且明顯低于采用Deep-Trench工藝的產(chǎn)品。
高溫漏電特性的良好表現(xiàn),有助于超致半導體的SJ-MOSFET產(chǎn)品在長時間工作條件下, 保證可靠性和穩(wěn)定性。
超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號,電壓等級覆蓋500V,600V,650V,700V,800V,900V;
電流等級覆蓋2A,5A,7A,10A,11A,15A,20A,30A,47A等全系列產(chǎn)品。
圖片僅供參考 業(yè)務咨詢 13352985885 張?zhí)斐?/span>
超致SJ-MOSFET 的第一代產(chǎn)品,性能和可靠性接近英飛凌C3,動態(tài)特性接近C6,能
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